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　　众所周知，芯片制造的链条非常的长，也有着极高的门槛。2019年华为麒麟9000名噪一时，成功打败同代的美国高通骁龙芯片，成为了国产芯片的巅峰之作。后来，美国强迫台积电停止给华为生产芯片，而国内又不具备高端芯片生产能力，麒麟9000成了绝唱。如今，芯片制造工艺更进一步，三星，台积电相继宣布量产3nm。那么，如果我们只用纯国产设备，能造出几nm的芯片呢？结果，可能出乎你的意料。

　　芯片制造要用到几十上百种的设备，不同的设备实现不同的功能，可以说，缺了谁也不行。要想生产相应工艺制程的芯片，每个节点的设备都不能掉链子，必须得达到最低要求才行，也就是说，最终生产出来的芯片精度跟你最瓶颈的节点息息相关。比如说，你的蚀刻环节虽然能做14nm了，但是如果封装环节只能做28nm，那么你也只能生产28nm的芯片。

　　美国针对国产芯片的封锁一直在光刻机上做文章，这也说明了我们现在在光刻机领域相对来说是最落后的，人家直接拿住你的七寸，其他的都不用太花心思，就能阻止你造出来高端芯片。比如美国要求ASML断供中国EUV光刻机，这基本上就相当于国产芯片进入到7nm工艺的路被堵死了。

　　这几年，国内企业都在半导体设备上不断努力，争取实现突破摆脱卡脖子的境地，也确实取得了很大的成绩。根据近日分析机构提供的数据看，我们国内最先进的环节还是在蚀刻机方面，中微的蚀刻机已经达到了5nm；大部分环节的国产设备都集中在28nm/65nm；最落后的环节则是刚才说的光刻机方面，国内最先进的光刻机企业上海微电子现在量产的主流设备还是90nm的。

　　不过，最近有消息传出，上海微电子已经造出了28nm和14nm的光刻机，但是在良率和效率方面还有待提升，但是，不管怎么说，至少已经造出来了，这对国产芯片来说就是个莫大的鼓舞。

　　另外，前段时间，华为已经正式宣布了芯片堆叠封装相关的技术专利，简单来说，这个芯片堆叠封装技术能够通过以面积换性能的方式，用成熟工艺制程制造出相当于先进工艺制程性能的芯片，举例来说，使用这个技术的线nm工艺就可能生产出相当于14nm、甚至是7nm新能的芯片。

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　　结合以上的分析，目前稳妥点说，只用纯国产设备的线nm芯片绝对没什么问题，考虑到向光刻机等瓶颈节点已经在突破的关口了，大胆预测一下，明年估计可以生产14nm了。其实，到了28nm就已经可以满足我们90%以上的芯片需求，7nm、5nm这些先进制程工艺的芯片，使用领域相对较少，主要是在手机等少数领域，忍两年也就过去了，不影响大局。

　　在传统芯片制造领域，国产设备还得继续努力，不过在新一代半导体芯片技术上，我们已经取得了一定的优势，相信国产芯片真正扬眉吐气的一天不会太远了。